Samsung Electronics αναπτύσσει την πρώτη DRAM DDR5 12nm βιομηχανίας
22 Dec Samsung Electronics αναπτύσσει την πρώτη DRAM DDR5 12nm βιομηχανίας
Posted at 11:33h
in HARDWARE
by Soustas
Με τη μαζική παραγωγή να ξεκινά το 2023, η νέα DRAM της Samsung αναβαθμίζει τους υπολογιστές επόμενης γενιάς, τα κέντρα δεδομένων και τις εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης με κορυφαίες επιδόσεις στον κλάδο και μεγαλύτερη απόδοση ενέργειας
Η Samsung Electronics Co., Ltd., ο παγκόσμιος ηγέτης στην τεχνολογία προηγμένης μνήμης, ανακοίνωσε σήμερα την ανάπτυξη της μνήμης DDR5 DRAM 16 gigabit (Gb) που έχει κατασκευαστεί αξιοποιώντας την πρώτη τεχνολογία διεργασιών κατηγορίας 12 νανομέτρων (nm) της βιομηχανίας, καθώς και την ολοκλήρωση της αξιολόγησης του προϊόντος για συμβατότητα με την AMD.
«Η εμβέλειας 12 nm DRAM θα αποτελεί βασικό παράγοντα για την υιοθέτηση της DDR5 DRAM από ολόκληρη την αγορά», σημείωσε ο Jooyoung Lee, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος Προϊόντος & Τεχνολογίας DRAM στη Samsung Electronics. «Χάρη στην εξαιρετική απόδοση και ισχύ που ενσωματώνει, αναμένουμε η νέα μας DRAM να χρησιμεύσει ως το θεμέλιο για πιο βιώσιμες λειτουργίες σε τομείς όπως οι υπολογιστές επόμενης γενιάς, τα κέντρα δεδομένων και τα συστήματα που βασίζονται σε τεχνητή νοημοσύνη».
«Η καινοτομία απαιτεί συχνά στενή συνεργασία με εταίρους του κλάδου για να ωθήσει τα όρια της τεχνολογίας», δήλωσε ο Joe Macri, Senior VP, Εταιρικός Συνεργάτης και Client, Compute και Graphics CTO της AMD. «Είμαστε ενθουσιασμένοι που θα συνεργαστούμε για ακόμη μια φορά με τη Samsung, ιδιαίτερα για την εισαγωγή προϊόντων μνήμης DDR5 που έχουν βελτιστοποιηθεί και επικυρωθεί σε πλατφόρμες “Zen”».
Αυτό το τεχνολογικό άλμα κατέστη δυνατό μέσω της χρήσης ενός νέου υλικού που αυξάνει την χωρητικότητα της κυψέλης αλλά και με τη βοήθεια της αποκλειστικής τεχνολογίας σχεδιασμού που βελτιώνει τα κρίσιμα χαρακτηριστικά του κυκλώματος. Σε συνδυασμό με προηγμένη λιθογραφία ακραίων υπεριωδών ακτίνων (EUV) πολλαπλών στρωμάτων, η νέα DRAM διαθέτει την υψηλότερη πυκνότητα μήτρας του κλάδου, επιτρέποντας 20% κέρδος στην παραγωγικότητα του wafer (δισκίο πυριτίου).
Αξιοποιώντας το πιο πρόσφατο πρότυπο DDR5, η DRAM κατηγορίας 12 nm της Samsung θα βοηθήσει να «ξεκλειδωθούν» ταχύτητες έως και 7,2 gigabit ανά δευτερόλεπτο (Gbps). Η δυνατότητα αυτή, αντιστοιχεί στην επεξεργασία δύο ταινιών UHD των 30 gigabyte (GB) σε μόλις ένα δευτερόλεπτο.
Επιπλέον, η εξαιρετική ταχύτητα της νέας DRAM συνδυάζεται με μεγαλύτερη απόδοση ισχύος. Καταναλώνοντας έως και 23% λιγότερη ενέργεια από την προηγούμενη DRAM, η DRAM κατηγορίας 12 nm θα αποτελεί την ιδανική λύση για παγκόσμιες εταιρείες πληροφορικής που επιδιώκουν λειτουργίες πιο φιλικές προς το περιβάλλον.
Με τη μαζική παραγωγή να ξεκινά το 2023, η Samsung σχεδιάζει να διευρύνει τη σειρά DRAM που βασίζεται στην προηγμένη τεχνολογία 12 nm, σε ένα ευρύ φάσμα τμημάτων της αγοράς, καθώς συνεχίζει να συνεργάζεται με άλλες εταιρείες του κλάδου για να υποστηρίξει την ταχεία επέκταση των υπολογιστών επόμενης γενιάς.
